Investigation op p-type two_dimensional semiconductor structures for complementary fet applications
4РП — Обучение и мобилност на изследователи
- Период
- 1996-01-09 → 1999-01-08
- Финансиране от ЕС
- —
- Участници
- 2
- Схема
- RGI
Линиите свързват координатора с партньорите. За проекти отпреди 2014 г. CORDIS не винаги дава точни координати. Тези точки са на ниво град или държава.
Накратко на български
Двуизмерни полупроводникови структури с p-тип се анализират, за да се увеличи скоростта на движение на положителните носители на заряд (дупките). Това помага за подобряване на работата на компютърните транзистори, като намалява съпротивлението и масата на частиците в тях.
Кратко обяснение, генерирано от езиков модел по текста на CORDIS. Оригиналът е по-долу.
Цел на проекта
This proposal concerns a request for funding of a Ph.D research programme on the subject of hole transport in heavily doped p-type quantumwell structures. The main objective is to determine whether it is possible to produce high carrier density p-type samples with enhanced mobility compared to bulk material of the same density. To achieve this, we propose to investigate the relationship between hole mobility and dopant distribution, the influence of a particular choice of crystallographic orientation and/or direction of motion, effects of strain and possibilities of 'wavefunction engineering'. The latter promises to improve mobility by reducing both the hole effective mass as well as reducing scattering. This Ph.D will be a continuation of my previous work performed at the IRC for Semiconductor Materials and will benefit from a then written computer program capable of doing self-consistent valence band calculations using a four band model.
Оригинален текст от CORDIS (на английски).
Участници
- UNIVERSITY COLLEGE LONDON · LONDONКоординаторОбединеното кралство
- Not availableНиво градНидерландия
Връзки
Данни: CORDIS, © Европейски съюз