Advanced metalisation for ulsi applications metal silicides and chemical vapour deposited tungsten
4РП — Обучение и мобилност на изследователи
- Период
- 1996-05-01 → 1999-04-30
- Финансиране от ЕС
- —
- Участници
- 2
- Схема
- RGI
Линиите свързват координатора с партньорите. За проекти отпреди 2014 г. CORDIS не винаги дава точни координати. Тези точки са на ниво град или държава.
Накратко на български
Металните силициди и волфрамът се изследват за създаване на свръхмалки електрически връзки в интегралните схеми. Това помага за подобряване на работата и качеството на чиповете чрез намаляване на механичното напрежение и електрическото съпротивление.
Кратко обяснение, генерирано от езиков модел по текста на CORDIS. Оригиналът е по-долу.
Цел на проекта
Low mechanical stress and low, uniform electrical resistivity are of crucial importance for metallisation of IC devices with feature sizes of deep submicron (below 0.5 um) dimensions. Two major research areas of interest are investigated in order to enhance circuit performance and to improve yield: SALICIDE TiSi2 is employed for local metallisation of IC devices. The formation, morphology and thermal stability of TiSi2 will be studied on patterned structures of deep submicron dimensions. Simple modifications to the fabrication process are implemented to improve the silicide formation and thermal stability. The W plug technology with a W/TiN/Ti stack is utilised to realise multilayer-multilevel metallisation. CVD-W is deposited on sputter-deposited TiN/Ti adhesion layers. Different process techniques (post-annealing of TiN/Ti, modification of W deposition) are investigated, in order to control the high mechanical stresses and impurity levels in the W layers.
Оригинален текст от CORDIS (на английски).
Участници
Връзки
Данни: CORDIS, © Европейски съюз