Mathematical analysis of extended semiconductor device models
4РП — Обучение и мобилност на изследователи
- Период
- 1996-09-01 → 1998-02-28
- Финансиране от ЕС
- —
- Участници
- 2
- Схема
- RGI
Линиите свързват координатора с партньорите. За проекти отпреди 2014 г. CORDIS не винаги дава точни координати. Тези точки са на ниво град или държава.
Накратко на български
Математическите модели на полупроводниковите устройства изследват движението на частиците чрез квантови уравнения. Това помага за създаването на по-точни симулации и подобряване на работата на съвременната електроника.
Кратко обяснение, генерирано от езиков модел по текста на CORDIS. Оригиналът е по-долу.
Цел на проекта
This is an applied mathematics project aimed at the application of advanced kinetic theory for semiconductor modelling. The analytical tools are partial differential equations in a functional analytic framework and semiclassical limits in the Wigner formulation of quantum physics. The main objectives of this TMR proposal are a) training of the proposer in the analytical and numerical methods pursued at the host group, b) obtaining new results in the mathematical analysis of quantum kinetic equations, c) deriving improved models and numerical methods for the simulation of state-of-the art semiconductor devices and bridging the gap between rigorous mathematics and approaches pursued by physicists and engineers, d) fostering the European cooperation in Applied Mathematics. The home group of the proposer focuses on the analysis of quantum kinetic and quantum hydrodynamic equations. The host group is internationally well known for work on semiconductor Boltzmann equations and related models, including significant contributions in their numerical analysis.
Оригинален текст от CORDIS (на английски).
Участници
Връзки
Данни: CORDIS, © Европейски съюз