Spectromicroscopy of interfaces - binary metal layers on silicon
4РП — Обучение и мобилност на изследователи
- Период
- 1996-12-01 → 1998-11-30
- Финансиране от ЕС
- —
- Участници
- 2
- Схема
- RGI
Линиите свързват координатора с партньорите. За проекти отпреди 2014 г. CORDIS не винаги дава точни координати. Тези точки са на ниво град или държава.
Накратко на български
Металните слоеве върху силициеви повърхности, като например комбинацията от сребро и злато, се анализират за разлики в химичния им състав. Това помага да се разбере как температурата и газовете влияят върху взаимодействието между металите и полупроводниците.
Кратко обяснение, генерирано от езиков модел по текста на CORDIS. Оригиналът е по-долу.
Цел на проекта
This research project is based on the application of a novel and emerging technique in surface science - Scanning Photoemission Microscopy (SPEM) - to investigate lateral variations on the submicron scale in the chemical composition and electronic structure of interfaces. It will be performed on the ESCA Microscopy beamline at the ELETTRA synchrotron radiation facility. The research work will focus on the study of binary metal layers on Si surfaces (ex.: Ag+Au/Si(111)), to explore how lateral inhomogeneities in morphology, electronic structure and Schottky barrier height can be affected by interface growth conditions, such as temperature and exposure to gases. This will provide new insight in the field of metal-semiconductor interfaces.
Оригинален текст от CORDIS (на английски).
Участници
Връзки
Данни: CORDIS, © Европейски съюз