Exciton complexes bound to interface defects in shallow quantum wells
4РП — Обучение и мобилност на изследователи
- Период
- 1996-12-01 → 1997-11-30
- Финансиране от ЕС
- —
- Участници
- 2
- Схема
- RGI
Линиите свързват координатора с партньорите. За проекти отпреди 2014 г. CORDIS не винаги дава точни координати. Тези точки са на ниво град или държава.
Накратко на български
Зарядените екзитони и биекзитони, свързани с дефекти в плитки квантови ями, се анализират чрез теоретични изчисления. Това помага да се разбере как се променя оптичният отговор на квантовите ями при различна концентрация на носители.
Кратко обяснение, генерирано от езиков модел по текста на CORDIS. Оригиналът е по-долу.
Цел на проекта
In the last year charged excitons and biexcitons came in the center of interest. I will investigate theoretically the charged excitons and bi-excitons bound to interface defects in shallow quantum wells. They seem to play an important role in the evolution of the optical response of quantum wells for increasing excitation or carrier concentration. The charged exciton for example appears to play a decisive role in doped quantum wells: He holds for varying carrier concentration an intermediate position between the regular exciton and the Coulomb correlated electron-hole-pair. A further unanswered question is whether the charged excitons and bi-excitons are bound or free. Based on the theoretical results for strongly confined quantum dots I will analyse their binding energies. I plan to study the stability of the charged excitons and bi-excitons in shallow quantum wells by means of variational calculations. My objective is to see if the binding energy is compatible with available experimental findings.
Оригинален текст от CORDIS (на английски).
Участници
Връзки
Данни: CORDIS, © Европейски съюз