Large fresnel number semiconductor lasers
4РП — Обучение и мобилност на изследователи
- Период
- 1997-01-01 → 1998-12-31
- Финансиране от ЕС
- —
- Участници
- 2
- Схема
- RGI
Линиите свързват координатора с партньорите. За проекти отпреди 2014 г. CORDIS не винаги дава точни координати. Тези точки са на ниво град или държава.
Накратко на български
Полупроводниковите лазери с голяма апертура, като тези с широка лента или вертикален резонатор, се анализират за разбиране на сложното им поведение. Целта е да се постигне стабилна и висока изходна мощност за технологични приложения.
Кратко обяснение, генерирано от езиков модел по текста на CORDIS. Оригиналът е по-долу.
Цел на проекта
Research objectives and content The applicant, Dr Huyet wishes to combine the valuable knowledge of large aperture lasers, he gained under Tredicce, with the impressive experience of Professor McInerney in broad area semiconductor lasers. This project is both motivated by technological applications and scientific understanding of large Fresnel number semiconductor lasers. The two specific area considered, wide stripe semiconductor lasers and vertical cavity semiconductor lasers optically pumped, will couple extremely well with the current projects under thee direction of Professor McInerney. The experiment will be carried with Dr Andrew Kent, another TMR fellowship working on the theory of large aperture semiconductor lasers, in order to understand the complex behavior of these lasers and also in order to obtain a stable high output power Training content (objective, benefit and expected impact) Links with industry / industrial relevance (22)
Оригинален текст от CORDIS (на английски).
Участници
Връзки
Данни: CORDIS, © Европейски съюз