Study of fast and ultra-fast processes in silicon clusters, a possible approach to an opto-electronics based on silicon
4РП — Обучение и мобилност на изследователи
- Период
- 1998-03-01 → 2001-02-28
- Финансиране от ЕС
- —
- Участници
- 2
- Схема
- RGI
Линиите свързват координатора с партньорите. За проекти отпреди 2014 г. CORDIS не винаги дава точни координати. Тези точки са на ниво град или държава.
Накратко на български
Силициевите клъстери се анализират чрез бърза спектроскопия, за да се разбере как се променят свойствата им спрямо обикновения силициев кристал. Резултатите ще помогнат да се установи дали в бъдещето е възможно създаването на оптоелектроника, базирана на тези микроскопични структури.
Кратко обяснение, генерирано от езиков модел по текста на CORDIS. Оригиналът е по-долу.
Цел на проекта
The research project aims at understanding and predicting changes in behavior and properties of silicon clusters compared to those of the bulk. The applicant will investigate fast and ultra-fast relaxation processes of pure and stabilized clusters and intend to employ electronic, nano-second and femto-second spectroscopies. Allthough the expected results are upstream of any concrete application, they will allow to decide whether the theoretically expected opto-electronics using tiny silicon structures will be possible in the future. As silicon is still the preferred material of the semiconductor industry, many and multi-fold applications can be foreseen.
Оригинален текст от CORDIS (на английски).
Участници
Връзки
Данни: CORDIS, © Европейски съюз