Atomic surface structure of ternary iii v compounds grown by movpe
4РП — Обучение и мобилност на изследователи
- Период
- —
- Финансиране от ЕС
- —
- Участници
- 1
- Схема
- —
Линиите свързват координатора с партньорите.
Накратко на български
Атомната структура на повърхностите на тройни полупроводникови съединения се анализира чрез специално покриване и разкриване на пробите. Това помага за по-доброто разбиране на повърхностите, създадени с MOVPE методи, чрез използването на стандартни лабораторни техники.
Кратко обяснение, генерирано от езиков модел по текста на CORDIS. Оригиналът е по-долу.
Цел на проекта
Research objectives and content In this project is planned to cap MOVPE grown samples with the appropriate group V elements with UV radiation from an excimer laser. The surface before capping and the capping procedure will be monitored by RAS. The samples will be tranferred then to an UHV chamber where the deccaping process is initiated under the control of LEED, AES, RAS, Raman scattering and other UHV techniques like Thermal Desorption Spectroscopy. the final surface will be controlled by Auger in order to check its contamination. The innovative aspect of this project lies in the fact that for the first time capped MOVPE grown samples will become available for surface analysis with standard UHV techniques as well as novel optical probes. Training content (objective, benefit and expected impact) Training in specific techniques available only in Berlin Links with industry / industrial relevance(22) A close cooperation existing with AXTRON (Aachen) who are one of the largest producers of MOVPE equipments
Оригинален текст от CORDIS (на английски).
Участници
- Aristotle University of Thessaloniki · ThessalonikiКоординаторГърция
Връзки
Данни: CORDIS, © Европейски съюз